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  • Resistore a chip RF RFTXX-30CR6363C

    Resistore a chip RF RFTXX-30CR6363C

    Modello RFTXX-30CR6363C Potenza 30W Resistenza XX Ω (personalizzabile da 10 a 3000Ω) Tolleranza di resistenza ±5% Coefficiente di temperatura <150ppm/℃ Substrato BeO Elemento resistivo Film spesso Temperatura di esercizio da -55 a +150 °C (vedere de Declassamento di potenza) Procedure di montaggio suggerite Declassamento di potenza Profilo di rifusione Designazione P/N Attenzione all'uso ■ Dopo che il periodo di stoccaggio dei componenti appena acquistati supera i 6 mesi, è necessario prestare attenzione alla saldabilità prima dell'uso. Si raccomanda ...
  • Resistore a chip RF RFTXX-30CR2550W

    Resistore a chip RF RFTXX-30CR2550W

    Modello RFTXX-30CR2550W Potenza 30 W Resistenza XX Ω (personalizzabile da 10 a 3000 Ω) Tolleranza di resistenza ±5% Coefficiente di temperatura <150 ppm/℃ Substrato BeO Elemento resistivo Film spesso Temperatura di esercizio da -55 a +150 °C (vedere de Declassamento di potenza) Procedure di montaggio suggerite Declassamento di potenza Profilo di rifusione Designazione P/N Attenzione all'uso ■ Dopo che il periodo di conservazione dei componenti appena acquistati supera i 6 mesi, è necessario prestare attenzione alla saldabilità prima dell'uso. Si raccomanda...
  • Resistore a chip RF RFTXX-30CR2550TA

    Resistore a chip RF RFTXX-30CR2550TA

    Modello RFTXX-30CR2550TA Potenza 30W Resistenza XX Ω (personalizzabile da 10 a 3000Ω) Tolleranza di resistenza ±5% Coefficiente di temperatura <150ppm/℃ Substrato BeO Elemento resistivo Film spesso Temperatura di esercizio da -55 a +150 °C (vedere de Declassamento di potenza) Procedure di montaggio suggerite Declassamento di potenza Profilo di rifusione Designazione P/N Attenzione all'uso ■ Dopo che il periodo di conservazione dei componenti appena acquistati supera i 6 mesi, è necessario prestare attenzione alla saldabilità prima dell'uso. Si raccomanda...
  • Resistore RF flangiato RFTXX-30RM2006

    Resistore RF flangiato RFTXX-30RM2006

    Modello RFTXX-30RM2006 Potenza 30 W Resistenza XX Ω (personalizzabile da 10 a 2000 Ω) Tolleranza di resistenza ±5% Capacità 2,6 pF a 100 Ω Coefficiente di temperatura <150 ppm/℃ Substrato BeO Coperchio AL2O3 Flangia di montaggio Ottone Conduttore Argento puro al 99,99% Elemento resistivo Film spesso Temperatura di esercizio da -55 a +150 °C (vedere la riduzione di potenza) Disegno schematico (Unità: mm) La lunghezza del filo conduttore può soddisfare le esigenze del cliente Tolleranza dimensionale: 5% salvo diversa indicazione Suggerimento...
  • Resistore RF RFTXX-30RM1306

    Resistore RF RFTXX-30RM1306

    Modello RFTXX-30RM1306 Potenza 30 W Resistenza XX Ω (personalizzabile da 10 a 2000 Ω) Tolleranza di resistenza ±5% Capacità 2,6 pF a 100 Ω Coefficiente di temperatura <150 ppm/℃ Substrato BeO Coperchio AL2O3 Flangia di montaggio Ottone Terminale Argento puro al 99,99% Elemento resistivo Film spesso Temperatura di esercizio da -55 a +150 °C (vedere de Declassamento di potenza) Disegno schematico (Unità: mm) La lunghezza del filo del terminale può soddisfare le esigenze del cliente Tolleranza dimensionale: 5% salvo diversa indicazione Suggerimento...
  • Isolatore a doppia giunzione

    Isolatore a doppia giunzione

    Un isolatore a doppia giunzione è un dispositivo passivo comunemente utilizzato nelle bande di frequenza a microonde e onde millimetriche per isolare i segnali inversi dall'estremità dell'antenna. È composto dalla struttura di due isolatori. La sua perdita di inserzione e il suo isolamento sono in genere il doppio rispetto a un singolo isolatore. Se l'isolamento di un singolo isolatore è di 20 dB, l'isolamento di un isolatore a doppia giunzione può spesso raggiungere i 40 dB. Il VSWR della porta non subisce variazioni significative. Nel sistema, quando il segnale a radiofrequenza viene trasmesso dalla porta di ingresso alla prima giunzione ad anello, poiché un'estremità della prima giunzione ad anello è dotata di una resistenza a radiofrequenza, il segnale può essere trasmesso solo all'estremità di ingresso della seconda giunzione ad anello. La seconda giunzione ad anello è identica alla prima, con l'aggiunta di resistenze RF; il segnale verrà quindi trasmesso alla porta di uscita e il suo isolamento sarà la somma degli isolamenti delle due giunzioni ad anello. Il segnale inverso che ritorna dalla porta di uscita verrà assorbito dalla resistenza RF nella seconda giunzione ad anello. In questo modo si ottiene un elevato grado di isolamento tra le porte di ingresso e di uscita, riducendo efficacemente riflessioni e interferenze nel sistema.

    Gamma di frequenza da 10 MHz a 40 GHz, potenza fino a 500 W.

    Applicazioni militari, spaziali e commerciali.

    Bassa perdita di inserzione, elevato isolamento, elevata capacità di gestione della potenza.

    Design personalizzato disponibile su richiesta.

     

  • Isolatore SMT/SMD

    Isolatore SMT/SMD

    Gli isolatori SMD sono dispositivi di isolamento utilizzati per l'incapsulamento e l'installazione su PCB (circuiti stampati). Sono ampiamente utilizzati nei sistemi di comunicazione, nelle apparecchiature a microonde, nelle apparecchiature radio e in altri settori. Gli isolatori SMD sono piccoli, leggeri e facili da installare, il che li rende adatti per applicazioni con circuiti integrati ad alta densità. Di seguito verrà fornita un'introduzione dettagliata alle caratteristiche e alle applicazioni degli isolatori SMD. Innanzitutto, gli isolatori SMD offrono un'ampia gamma di frequenze. In genere coprono un ampio intervallo di frequenze, ad esempio da 400 MHz a 18 GHz, per soddisfare i requisiti di frequenza di diverse applicazioni. Questa ampia copertura di banda di frequenza consente agli isolatori SMD di offrire prestazioni eccellenti in molteplici scenari applicativi.

    Gamma di frequenza da 200 MHz a 15 GHz.

    Applicazioni militari, spaziali e commerciali.

    Bassa perdita di inserzione, elevato isolamento, elevata capacità di gestione della potenza.

    Design personalizzato disponibile su richiesta.

  • Resistore RF RFTXX-20RM0904

    Resistore RF RFTXX-20RM0904

    Modello RFTXX-20RM0904 Potenza 20 W Resistenza XX Ω (personalizzabile da 10 a 3000 Ω) Tolleranza di resistenza ±5% Capacità 1,2 PF@100 Ω Coefficiente di temperatura <150 ppm/℃ Substrato BeO Coperchio AL2O3 Flangia di montaggio Ottone Conduttore Argento puro al 99,99% Elemento resistivo Film spesso Temperatura di esercizio da -55 a +150 °C (vedere la riduzione di potenza) Disegno schematico (Unità: mm) La lunghezza del filo conduttore può soddisfare le esigenze del cliente Tolleranza dimensionale: 5% salvo diversa indicazione Suggerimento...
  • Isolatore a microstriscia

    Isolatore a microstriscia

    Gli isolatori a microstriscia sono dispositivi RF e a microonde comunemente utilizzati per la trasmissione e l'isolamento del segnale nei circuiti. Sfruttano la tecnologia a film sottile per creare un circuito su un substrato di ferrite magnetica rotante, a cui viene poi applicato un campo magnetico. L'installazione degli isolatori a microstriscia avviene generalmente tramite saldatura manuale di strisce di rame o collegamento con filo d'oro. La struttura degli isolatori a microstriscia è molto semplice, rispetto agli isolatori coassiali e a quelli integrati. La differenza più evidente è l'assenza di cavità: il conduttore dell'isolatore a microstriscia viene realizzato mediante un processo di deposizione di film sottile (sputtering sotto vuoto) per creare il disegno desiderato sul substrato di ferrite rotante. Dopo la galvanizzazione, il conduttore prodotto viene fissato al substrato di ferrite rotante. Sopra il disegno viene applicato uno strato di materiale isolante e su di esso viene applicato un campo magnetico. Con una struttura così semplice, si ottiene un isolatore a microstriscia.

    Gamma di frequenza da 2,7 a 43 GHz

    Applicazioni militari, spaziali e commerciali.

    Bassa perdita di inserzione, elevato isolamento, elevata capacità di gestione della potenza.

    Design personalizzato disponibile su richiesta.

  • CT-50W-FH6080-IP65-DINJ-3G DC~3.0GHz Terminazione a bassa intermodulazione

    CT-50W-FH6080-IP65-DINJ-3G DC~3.0GHz Terminazione a bassa intermodulazione

    Modello CT-50W-FH6080-IP65-DINJ-3G Gamma di frequenza DC~3.0GHz VSWR 1.20 Max PIM3 ≥120dBc@2*33dBm Potenza 50W Impedenza 50 Ω Tipo di connettore DIN-M (J) Grado di impermeabilità IP65 Dimensioni 60×60×80mm Temperatura di esercizio -55 ~ +125°C (vedere la riduzione di potenza) Colore Nero Peso Circa 410 g Attenzione all'uso Riduzione di potenza Designazione P/N
  • Resistore RF RFTXX-20RM1304

    Resistore RF RFTXX-20RM1304

    Modello RFTXX-20RM1304 Potenza 20 W Resistenza XX Ω (personalizzabile da 10 a 3000 Ω) Tolleranza di resistenza ±5% Capacità 1,2 PF@100 Ω Coefficiente di temperatura <150 ppm/℃ Substrato BeO Coperchio AL2O3 Flangia di montaggio Ottone Terminale Argento puro al 99,99% Elemento resistivo Film spesso Temperatura di esercizio da -55 a +150 °C (vedere la riduzione di potenza) Disegno schematico (Unità: mm) La lunghezza del filo del terminale può soddisfare le esigenze del cliente Tolleranza dimensionale: 5% salvo diversa indicazione Sugges...
  • WH3234A/ WH3234B Circolatore a inserimento rapido da 2,0 a 4,2 GHz