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Terminazione flangiata
I terminali flangiati vengono installati all'estremità di un circuito, assorbendo i segnali trasmessi e prevenendo la riflessione del segnale, influenzando così la qualità di trasmissione del sistema circuitale. Il terminale flangiato è assemblato saldando un resistore a singolo terminale con flange e patch. Le dimensioni della flangia vengono generalmente progettate in base alla combinazione dei fori di installazione e alle dimensioni della resistenza del terminale. È possibile realizzare anche personalizzazioni in base alle esigenze specifiche del cliente.
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RFTXXN-100AJ8957-3 Attenuatore con terminali Attenuatore RF da CC a 3,0 GHz
Modello RFTXXN-100AJ8957-3 (XX=Valore di attenuazione) Impedenza 50 Ω Gamma di frequenza DC~3.0GHz VSWR 1.20 max Potenza nominale 100 W Valore di attenuazione 13, 20, 30dB Tolleranza di attenuazione ±1.0dB Coefficiente di temperatura <150ppm/℃ Materiale del substrato AlN Porcellana Materiale del cappello Piombo medio Argento sterling 99.99% Tecnologia di resistenza Film spesso Temperatura di esercizio da -55 a +150°C (vedere la riduzione di potenza) Disegno schematico (Unità: mm/pollici) La lunghezza del conduttore può essere personalizzata secondo... -
Attenuatore a microstriscia
L'attenuatore a microstriscia è un dispositivo che svolge un ruolo nell'attenuazione del segnale nella banda di frequenza delle microonde. La sua realizzazione in un attenuatore fisso è ampiamente utilizzata in campi come le comunicazioni a microonde, i sistemi radar, le comunicazioni satellitari, ecc., fornendo una funzione di attenuazione del segnale controllabile per i circuiti. I chip attenuatori a microstriscia, a differenza dei comuni chip di attenuazione a patch, devono essere assemblati in un contenitore di dimensioni specifiche tramite connessione coassiale per ottenere l'attenuazione del segnale dall'ingresso all'uscita.
Design personalizzato disponibile su richiesta.
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RFT20N-60AM6363-6 Attenuatore con terminali Attenuatore RF da CC a 6,0 GHz
Modello RFT20N-60AM6363-6 (XX=Valore di attenuazione) Impedenza 50 Ω Gamma di frequenza DC~6.0GHz VSWR 1.25 max Potenza nominale 60 W Valore di attenuazione 20dB Tolleranza di attenuazione ±0.8 dB Coefficiente di temperatura <150ppm/℃ Materiale del substrato AlN Porcellana Materiale del cappello Al2O3 Conduttore Argento sterling 99.99% Tecnologia di resistenza Film spesso Temperatura di esercizio da -55 a +150°C (vedere la riduzione di potenza) Disegno schematico (Unità: mm/pollici) La lunghezza del conduttore può essere personalizzata in base alle esigenze del cliente... -
RFTXX-60AM6363B-3 Attenuatore con terminali Attenuatore RF da CC a 3,0 GHz
Modello RFTXX-60AM6363B-3 (XX=Valore di attenuazione) Impedenza 50 Ω Gamma di frequenza DC~3.0GHz VSWR 1.25 max Potenza nominale 60 W Valore di attenuazione 01-10dB/16dB/20dB Tolleranza di attenuazione ±0.6dB/±0.8dB/±1.0dB Coefficiente di temperatura <150ppm/℃ Materiale del substrato BeO Porcellana Materiale del cappello Al2O3 Conduttore Argento sterling 99.99% Tecnologia di resistenza Film spesso Temperatura di esercizio da -55 a +150°C (vedere de Declassamento di potenza) Disegno schematico (Unità: mm/pollici) La lunghezza del conduttore può essere tagliata... -
RFTXXA-05AM0404-3 Attenuatore con terminali Attenuatore RF da CC a 3,0 GHz
Modello RFTXXA-05AM0404-3 (XX=Valore di attenuazione) Impedenza 50 Ω Gamma di frequenza DC~3.0GHz VSWR 1.20 max Potenza nominale 5 W Valore di attenuazione (dB) 01-10/15, 17, 20/25, 30 Tolleranza di attenuazione (dB) ±0.6/±0.8/±1.0 Coefficiente di temperatura <150ppm/℃ Materiale del substrato Al2O3 Porcellana Materiale del cappello Al2O3 Conduttore Argento sterling 99.99% Tecnologia di resistenza Film spesso Temperatura di esercizio da -55 a +150 °C (vedere la riduzione di potenza) Disegno schematico (Unità: mm/pollici) Lunghezza del conduttore ... -
Circolatore a microstriscia
Il circolatore a microstriscia è un dispositivo a microonde RF comunemente utilizzato per la trasmissione e l'isolamento del segnale nei circuiti. Sfrutta la tecnologia a film sottile per creare un circuito su un substrato di ferrite magnetica rotante, a cui viene poi applicato un campo magnetico. L'installazione dei dispositivi anulari a microstriscia avviene generalmente tramite saldatura manuale o collegamento con fili d'oro e strisce di rame. La struttura dei circolatori a microstriscia è molto semplice, rispetto a quella dei circolatori coassiali e integrati. La differenza più evidente è l'assenza di cavità: il conduttore del circolatore a microstriscia viene realizzato mediante un processo di deposizione di film sottile (sputtering sotto vuoto) per creare il disegno desiderato sul substrato di ferrite rotante. Dopo la galvanizzazione, il conduttore prodotto viene fissato al substrato di ferrite rotante. Sopra il disegno viene applicato uno strato di materiale isolante e su di esso viene applicato un campo magnetico. Con una struttura così semplice, si ottiene un circolatore a microstriscia.
Gamma di frequenza da 2,7 a 40 GHz.
Applicazioni militari, spaziali e commerciali.
Bassa perdita di inserzione, elevato isolamento, elevata capacità di gestione della potenza.
Design personalizzato disponibile su richiesta.
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Circolatore a banda larga
Il circolatore a banda larga è un componente importante nei sistemi di comunicazione RF, offrendo una serie di vantaggi che lo rendono particolarmente adatto a diverse applicazioni. Questi circolatori garantiscono una copertura a banda larga, assicurando prestazioni efficaci su un'ampia gamma di frequenze. Grazie alla loro capacità di isolare i segnali, prevengono le interferenze provenienti da segnali fuori banda e mantengono l'integrità dei segnali in banda. Uno dei principali vantaggi dei circolatori a banda larga è l'eccellente isolamento. Allo stesso tempo, questi dispositivi ad anello presentano buone caratteristiche di onda stazionaria di porta, riducendo i segnali riflessi e mantenendo una trasmissione del segnale stabile.
Gamma di frequenza da 56 MHz a 40 GHz, larghezza di banda fino a 13,5 GHz.
Applicazioni militari, spaziali e commerciali.
Bassa perdita di inserzione, elevato isolamento, elevata capacità di gestione della potenza.
Design personalizzato disponibile su richiesta.
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Attenuatore a chip RFTXX-60CA6363B-3 Attenuatore RF da CC a 3,0 GHz
Modello RFTXX-60CA6363B-3 (XX = Valore di attenuazione) Intervallo di resistenza 50 Ω Intervallo di frequenza DC~3,0 GHz VSWR 1,25 max Potenza 60 W Valore di attenuazione (dB) 01-10 dB/11-20 dB/21-30 dB Tolleranza di attenuazione (dB) ±0,6 dB/±0,8 dB/±1,0 dB Coefficiente di temperatura <150 ppm/℃ Materiale del substrato BeO Tecnologia di resistenza Film spesso Temperatura di esercizio da -55 a +150 °C (vedere de Declassamento di potenza) Metodo di installazione Declassamento di potenza Diagramma dei tempi e delle temperature di saldatura a rifusione Designazione P/N ... -
Attenuatore a chip RFTXXN-20CA5025C-3 Attenuatore RF da CC a 3,0 GHz
Modello RFTXXN-20CA5025C-3 (XX = Valore di attenuazione) Intervallo di resistenza 50 Ω Intervallo di frequenza DC~3,0 GHz VSWR 1,25 max Potenza 20 W Valore di attenuazione (dB) 01-10 dB/11-20 dB/21-30 dB Tolleranza di attenuazione (dB) ±0,6 dB/±0,8 dB/±1,0 dB Coefficiente di temperatura <150 ppm/℃ Materiale del substrato AlN Tecnologia di resistenza Film spesso Temperatura di esercizio da -55 a +150 °C (vedere la riduzione di potenza) Prestazioni tipiche: Grafico 2 dB Grafico 20 dB Grafico 6 dB Grafico 30 dB Metodo di installazione... -
Attenuatore a chip RFTXXN-10CA5025C-6 Attenuatore RF da CC a 6,0 GHz
Modello RFTXXN-10CA5025C-6 (XX = valore di attenuazione) Intervallo di resistenza 50 Ω Intervallo di frequenza DC~6,0 GHz VSWR 1,25 max Potenza 10 W Valore di attenuazione (dB) 01-10 dB/11-20 dB Tolleranza di attenuazione (dB) ±0,6 dB/±0,8 dB Coefficiente di temperatura <150 ppm/℃ Materiale del substrato AlN Tecnologia di resistenza Film spesso Temperatura di esercizio da -55 a +150 °C (vedere la riduzione di potenza) Prestazioni tipiche: grafico a 6 dB grafico a 20 dB Metodo di installazione Riduzione di potenza Tempo di saldatura a rifusione e ... -
Resistore RF con terminali RFTXX-250RM1313K
Modello RFTXX-250RM1313K Potenza 250 W Resistenza XX Ω~ (personalizzabile da 10 a 1000Ω) Tolleranza di resistenza ±5% Capacità 2,0 PF@100Ω Coefficiente di temperatura <150ppm/℃ Substrato BeO Copertura AL2O3 Piombo Rame placcato argento Elemento resistivo Film spesso Temperatura di esercizio da -55 a +150 °C (vedere de Declassamento di potenza) Procedure di montaggio suggerite Declassamento di potenza Profilo di rifusione Designazione P/N Attenzione all'uso ■ Dopo che il periodo di conservazione dei componenti appena acquistati supera i 6 mesi...
