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Terminazione flangiata

All'estremità di un circuito sono installate terminazioni flangiate che assorbono i segnali trasmessi nel circuito e impediscono la riflessione del segnale, influenzando così la qualità di trasmissione del sistema circuitale.

Il terminale flangiato viene assemblato saldando un resistore terminale a conduttore singolo con flange e toppe.La dimensione della flangia viene solitamente progettata in base alla combinazione di fori di installazione e dimensioni della resistenza terminale.È inoltre possibile effettuare personalizzazioni in base alle esigenze di utilizzo del cliente.


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    Terminazione flangiata

    Terminazione flangiata
    Principali specifiche tecniche:

    Potenza nominale: 5-1500 W;
    Materiali del substrato: BeO、AlN、Al2O3
    Valore di resistenza nominale: 50Ω
    Tolleranza di resistenza:±5%、±2%、±1%
    Coefficiente di temperatura: <150 ppm/℃
    Temperatura di funzionamento: -55~+150℃
    Rivestimento della flangia: placcatura in nichel o argento opzionale
    Norma ROHS: Conforme a
    Norma applicabile: Q/RFTYTR001-2022
    Lunghezza cavo: L come specificato nella scheda tecnica
    (può essere personalizzato in base alle esigenze del cliente)

    zxczxc1
    Energia
    (W)
    Frequenza
    Allineare
    Dimensione (unità: mm) SubstratoMateriale Configurazione Scheda dati
    (PDF)
    A B C D E H G W L J Φ
    5W 6GHz 13.0 4.0 9.0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 Al2O3  FIG. 1   RFT50A-05TM1304
    11.0 4.0 7.6 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.2 Al2O3  FIG. 1   RFT50A-05TM1104
    9.0 4.0 7.0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 Al2O3  FIG2   RFT50A-05TM0904(D,S,I)
    10 W 4GHz 7.7 5.0 5.1 2.5 1.5 2.5 3.5 1.0 3.0 / 3.1 BeO FIG2   RFT50-10TM7705((Dx,Sx))
    6GHz 13.0 4.0 9.0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 Al2O3  FIG. 1   RFT50A-10TM1304
    AlN FIG. 1   RFT50N-10TJ1304
    11.0 4.0 7.6 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.2 Al2O3  FIG. 1   RFT50A-10TM1104
    AlN FIG. 1   RFT50N-10TJ1104
    9.0 4.0 7.0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 Al2O3 FIG2   RFT50A-10TM0904(D,S,I)
      AlN FIG2   RFT50N-10TJ0904(D,S,I)
    8GHz 13.0 4.0 9.0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 BeO FIG. 1   RFT50-10TM1304
    11.0 4.0 7.6 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.2 BeO FIG. 1   RFT50-10TM1104
    9.0 4.0 7.0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 BeO FIG2   RFT50-10TM0904(D,S,I)
    18GHz 7.7 5.0 5.1 2.5 1.5 2.5 3.5 1.0 3.0 / 3.1 BeO FIG2   RFT50-10TM7705I
    20 W 4GHz 7.7 5.0 5.1 2.5 1.5 2.5 3.5 1.0 3.0 / 3.1 BeO FIG2   RFT50-20TM7705((Dx,Sx))
    6GHz 13.0 4.0 9.0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 AlN FIG. 1   RFT50N-20TJ1304
    11.0 4.0 7.6 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.2 AlN FIG. 1   RFT50N-20TJ1104
    9.0 4.0 7.0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 AlN FIG2   RFT50N-20TJ0904(D,S,I)
    8GHz 13.0 4.0 9.0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 BeO FIG. 1   RFT50-20TM1304
    11.0 4.0 7.6 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.2 BeO FIG. 1   RFT50-20TM1104
    9.0 4.0 7.0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 BeO FIG2   RFT50-10TM0904(D,S,I)
    18GHz 7.7 5.0 5.1 2.5 1.5 2.5 3.5 1.0 3.0 / 3.1 BeO FIG2   RFT50-10TM7705I
    30 W 6GHz 16.0 6.0 13.0 6.0 1.0 2.0 3.0 1.0 5.0 / 2.1 AlN FIG. 1   RFT50N-30TJ1606
    BeO FIG. 1   RFT50-30TM1606
    20.0 6.0 14.0 6.0 1.5 2.5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 AlN FIG. 1   RFT50N-30TJ2006
    BeO FIG. 1   RFT50-30TM2006
    13.0 6.0 10.0 6.0 1.5 2.5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 AlN FIG2   RFT50N-30TJ1306(D,S,I)
    3.0 BeO FIG2   RFT50-30TM1306(D,S,I)
    60 W 6GHz 16.0 6.0 13.0 6.0 1.0 2.0 3.0 1.0 5.0 / 2.1 AlN FIG. 1   RFT50N-60TJ1606
    3.2 BeO FIG. 1   RFT50-60TM1606
    20.0 6.0 14.0 6.0 1.5 2.5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 AlN FIG. 1   RFT50N-60TJ2006
    3.2 BeO FIG. 1   RFT50-60TM2006
    13.0 6.0 10.0 6.0 1.5 2.5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 AlN FIG2   RFT50N-60TJ1306(D,S,I)
    3.2 BeO FIG2   RFT50-60TM1306(D,S,I)
    法兰式终端FIG3,4,5
    Energia
    (W)
    Frequenza
    Allineare
    Dimensioni (unità: mm) Substrato
    Materiale
    Configurazione Scheda tecnica(PDF)
    A B C D E H G W L J Φ
    100 W 3GHz 24.8 9.5 18.4 9.5 2.9 4.8 5.5 1.4 6.0 / 3.1 BeO FIG. 1   RFT50-100TM2595
    4GHz 16.0 6.0 13.0 9.0 1.0 2.0 2.5 1.0 6.0 / 2.1 BeO FIG2   RFT50N-100TM1606
    20.0 6.0 14.0 9.0 1.5 2.5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 BeO FIG. 1   RFT50N-100TJ2006
    24.8 6.0 18.4 6.0 2.8 3.8 4.6 1.0 5.0 / 3.2 BeO FIG. 1   RFT50-100TM2506
    16.0 10.0 13.0 10.0 1.5 2.6 3.3 1.4 6.0 / 3.2 BeO FIG4   RFT50-100TJ1610(D,S,I)
    23.0 10.0 17.0 10.0 1.5 3.0 3.8 1.4 6.0 / 3.2 BeO FIG. 1   RFT50-100TJ2310
    24.8 10.0 18.4 10.0 3.0 4.6 5.5 1.4 6.0 / 3.5 BeO FIG. 1   RFT50-100TJ2510
    5GHz 13.0 6.35 10.0 6.35 1.5 2.5 3.2 1.0 5.0 / 3.2 BeO FIG2   RFT50-100TJ1363(D,S,I)
    16.6 6.35 12.0 6.35 1.5 2.5 3.5 1.0 5.0 / 2.5 BeO FIG. 1   RFT50-100TM1663
    6GHz 16.0 6.0 13.0 8.9 1.0 2.0 2.5 1.0 5.0 / 2.1 AlN FIG. 1   RFT50N-100TJ1606B
    20.0 6.0 14.0 8.9 1.5 2.5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 AlN FIG. 1   RFT50N-100TJ2006B
    8GHz 20.0 6.0 14.0 8.9 1.5 3.0 3.5 1.0 5.0 / 3.2 AlN FIG. 1   RFT50N-100TJ2006C
    150 W 3GHz 16.0 10.0 13.0 10.0 1.5 2.6 3.3 1.4 6.0 / 3.2 BeO FIG4   RFT50-150TM1610(D,S,I)
    22.0 9.5 14.0 6.35 1.5 2.6 3.0 1.4 5.0 / 4.0 AIN FIG. 1   RFT50N-150TJ2295
    24.8 9.5 18.4 9.5 2.9 4.8 5.5 1.4 6.0 / 3.1 BeO FIG. 1   RFT50-150TM2595
    24.8 10.0 18.4 10.0 3.0 4.6 5.5 1.4 6.0 / 3.5 BeO FIG. 1   RFT50-150TM2510
    4GHz 16.0 10.0 13.0 10.0 1.5 2.6 3.3 1.4 6.0 / 3.2 BeO FIG4   RFT50-150TJ1610(D,S,I)
    23.0 10.0 17.0 10.0 1.5 3.0 3.8 1.4 6.0 / 3.2 BeO FIGURA 3   RFT50-150TJ2310
    24.8 10.0 18.4 10.0 3.0 4.6 5.5 1.4 6.0 / 3.5 BeO FIG. 1   RFT50-150TJ2510
    200W 3GHz 24.8 9.5 18.4 9.5 2.9 4.8 5.5 1.4 6.0 / 3.1 BeO FIG. 1   RFT50-200TM2595
    24.8 10.0 18.4 10.0 3.0 4.6 5.5 1.4 6.0 / 3.5 BeO FIG. 1   RFT50-200TM2510
    4GHz 16.0 10.0 13.0 10.0 1.5 2.6 3.3 1.4 6.0 / 3.2 BeO FIG2   RFT50-200TM1610(D,S,I)
    23.0 10.0 17.0 10.0 1.5 3.0 3.8 1.4 6.0 / 3.2 BeO FIGURA 3   RFT50-200TJ2310
    24.8 10.0 18.4 10.0 3.0 4.6 5.5 1.4 6.0 / 3.5 BeO FIG. 1   RFT50-150TJ2510
    10GHz 32.0 12.7 22.0 12.7 3.0 5.0 6.0 2.4 6.0 / 4.0 BeO FIG. 1   RFT50-200TM3213B
    250 W 3GHz 23.0 10.0 17.0 12.0 1.5 3.0 3.8 1.4 6.0 / 3.2 BeO FIGURA 3   RFT50-250TM2310
    24.8 10.0 18.4 12.0 3.0 4.6 5.5 1.4 6.0 / 3.5 BeO FIG. 1   RFT50-250TM2510
    27.0 10.0 21.0 12.0 2.5 4.0 5.5 1.4 6.0 / 3.2 BeO FIG. 1   RFT50-250TM2710
    10GHz 32.0 12.7 22.0 12.7 3.0 5.0 6.0 2.4 6.0 / 4.0 BeO FIG. 1   RFT50-250TM3213B
    300W 3GHz 23.0 10.0 17.0 12.0 1.5 3.0 3.8 1.4 6.0 / 3.2 BeO FIG. 1   RFT50-300TM2310
    24.8 10.0 18.4 12.0 3.0 4.6 5.5 1.4 6.0 / 3.5 BeO FIG. 1   RFT50-300TM2510
    27.0 10.0 21.0 12.0 2.5 4.0 5.5 1.4 6.0 / 3.2 BeO FIG. 1   RFT50-300TM2710
    10GHz 32.0 12.7 22.0 12.7 3.0 5.0 6.0 2.4 6.0 / 4.0 BeO FIG. 1   RFT50-300TM3213B
    400W 2GHz 32.0 12.7 22.0 12.7 3.0 5.0 6.0 2.4 6.0 / 4.0 BeO FIG. 1   RFT50-400TM3213
    500 W 2GHz 32.0 12.7 22.0 12.7 3.0 5.0 6.0 2.4 6.0 / 4.0 BeO FIG. 1   RFT50-500TM3213
    800W 1GHz 48.0 26.0 40.0 26.0 3.0 6.2 6.9 6.0 7.0 12.7 4.2 BeO FIG5   RFT50-800TM4826
    1000 W 1GHz 48.0 26.0 40.0 26.0 3.0 6.2 6.9 6.0 7.0 12.7 4.2 BeO FIG5   RFT50-1000TM4826
    1500W 0,8 GHz 50,0 78.0 40.0 26.0 5.0 8.2 9.0 6.0 7.0 15.0 4.2 BeO FIG5   RFT50-1500TM5078

    Panoramica

    La flangia è generalmente realizzata con lavorazione nichel ramata o argento.Il substrato di resistenza è generalmente costituito da ossido di berillio, nitruro di alluminio e stampa di ossido di alluminio in base ai requisiti di potenza e alle condizioni di dissipazione del calore.

    La terminazione flangiata, come la terminazione con piombo, viene utilizzata principalmente per assorbire le onde del segnale trasmesse all'estremità del circuito, impedire che la riflessione del segnale influisca sul circuito e garantire la qualità di trasmissione del sistema circuitale.

    La terminazione flangiata ha la caratteristica di una facile installazione rispetto ai resistori patch grazie alla sua flangia e ai fori di montaggio sulla flangia.


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