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RFT50-20TM7750 (R, L) terminata flangiata


  • Modello:RFT50-20TM7750 (R, L)
  • Intervallo di frequenza:DC ~ 4.0ghz
  • Energia:20 w
  • Intervallo di resistenza:50 Ω
  • Tolleranza alla resistenza:± 5%
  • VSWR:1,20 max
  • Coefficiente di temperatura: <150ppm>
  • Materiale del substrato:Beo
  • Materiale del tappo:Al2O3
  • Flangia:Rame nichelato
  • Guida:99,99% di argento sterling
  • Tecnologia di resistenza:Film spesso
  • Temperatura operativa:Da -55 a +155 ° C (vedi de-rating de power)
  • Dettaglio del prodotto

    Tag del prodotto

    Modello RFT50-20TM7750 (R, L)
    Gamma di frequenza DC ~ 4.0ghz
    Energia 20 w
    Gamma di resistenza 50 Ω
    Tolleranza alla resistenza ± 5%
    VSWR 1,20 max
    Coefficiente di temperatura <150ppm/℃
    Materiale del substrato Beo
    Materiale del tappo Al2O3
    Flangia Rame nichelato
    Guida 99,99% di argento sterling
    Tecnologia di resistenza Film spesso
    Temperatura operativa Da -55 a +155 ° C (vedi de-rating de power)

    Performance tipiche:

    2
    3

    Metodo di installazione

    DE-rating di potenza

    4
    5

    Designazione P/N.

    6

    Questioni che necessitano di attenzione

    ■ Dopo il periodo di conservazione delle parti di recente acquisto superano i 6 mesi, è necessario prestare attenzione alla saldabilità prima dell'uso. Si consiglia di archiviare nell'imballaggio a vuoto.

    ■ Il terreno richiede un trasferimento di calore ottimale.

    ■ La saldatura manuale deve essere utilizzata a una saldatura a temperatura costante di non più di 350 gradi e il tempo di saldatura deve essere controllato entro 5 secondi.

    ■ Per soddisfare i requisiti del disegno, è necessario installare un radiatore sufficientemente grande. Le superfici metalliche e i radiatori devono essere rivestiti con uno strato molto sottile di grasso termico.

    ■ Aggiungere il raffreddamento dell'aria o il raffreddamento dell'acqua se necessario

    ◆ Descrizione:

    ■ Sono disponibili attenuatori RF progettati su misura, resistori RF e terminali RF.


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